2N112 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N112

Material: Ge

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.13 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Tensión colector-emisor (Vce): 15 V

Tensión emisor-base (Veb): 20 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 85 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 2 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 24 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 30

Encapsulados: TO22

 Búsqueda de reemplazo de 2N112

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

2N112 datasheet

NO DATA!

Otros transistores... 2N1115, 2N1115A, 2N1116, 2N1117, 2N1118, 2N1118A, 2N1119, 2N111A, D882, 2N1120, 2N1121, 2N1122, 2N1122A, 2N1123, 2N1124, 2N1125, 2N1126