Биполярный транзистор 2N112 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N112
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.13 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 20 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 24 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: TO22
Другие транзисторы... 2N1115 , 2N1115A , 2N1116 , 2N1117 , 2N1118 , 2N1118A , 2N1119 , 2N111A , 2SC2073 , 2N1120 , 2N1121 , 2N1122 , 2N1122A , 2N1123 , 2N1124 , 2N1125 , 2N1126 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050