2N112. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N112

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.13 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 20 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 24 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO22

 Аналоги (замена) для 2N112

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N112 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: 2N1115, 2N1115A, 2N1116, 2N1117, 2N1118, 2N1118A, 2N1119, 2N111A, D882, 2N1120, 2N1121, 2N1122, 2N1122A, 2N1123, 2N1124, 2N1125, 2N1126