MPSL01B . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MPSL01B
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W
   Tensión colector-base (Vcb): 170 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 170 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 60 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 8 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
   Paquete / Cubierta: TO92

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar MPSL01B

MPSL01B Datasheet (PDF)

8.1. Size:199K motorola
mpsl01re.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MPSL01/DAmplifier TransistorNPN SiliconMPSL01COLLECTOR32BASE1EMITTER123MAXIMUM RATINGSRating Symbol Value UnitCASE 2904, STYLE 1TO92 (TO226AA)CollectorEmitter Voltage VCEO 120 VdcCollectorBase Voltage VCBO 140 VdcEmitterBase Voltage VEBO 5.0 VdcCollector Current Continuo

8.2. Size:293K fairchild semi
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Discrete POWER & SignalTechnologiesMPSL01C TO-92BENPN General Purpose AmplifierThis device is designed for general purpose, high voltageamplifiers and gas discharge display driving. Sourced fromProcess 16. See 2N5551 for characteristics.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 120 VV Collector

8.3. Size:197K cdil
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Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR MPSL01TO-92CBECBEAmplifier Transistor.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector -Base Voltage VCBO 140 VCollector -Emitter Voltage VCEO 120 VEmitter -Base Voltage VEBO 5.0 VCollector Current Continuous IC 150 mAPower

Otros transistores... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , BD777 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

History: HSBD234 | MJE13003I6 | UMX4N | 2SB514C | KSD560Y

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050