MPSL08 Todos los transistores

 

MPSL08 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MPSL08
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.31 W
   Tensión colector-base (Vcb): 12 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 12 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.08 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 135 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 700 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 3 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: TO92
 

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MPSL08 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:199K  motorola
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MPSL08

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MPSL01/DAmplifier TransistorNPN SiliconMPSL01COLLECTOR32BASE1EMITTER123MAXIMUM RATINGSRating Symbol Value UnitCASE 2904, STYLE 1TO92 (TO226AA)CollectorEmitter Voltage VCEO 120 VdcCollectorBase Voltage VCBO 140 VdcEmitterBase Voltage VEBO 5.0 VdcCollector Current Continuo

 9.2. Size:293K  fairchild semi
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MPSL08

Discrete POWER & SignalTechnologiesMPSL01C TO-92BENPN General Purpose AmplifierThis device is designed for general purpose, high voltageamplifiers and gas discharge display driving. Sourced fromProcess 16. See 2N5551 for characteristics.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 120 VV Collector

 9.3. Size:197K  cdil
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MPSL08

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR MPSL01TO-92CBECBEAmplifier Transistor.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector -Base Voltage VCBO 140 VCollector -Emitter Voltage VCEO 120 VEmitter -Base Voltage VEBO 5.0 VCollector Current Continuous IC 150 mAPower

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History: 3DD13007_Z8

 

 
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