MPSW10 Todos los transistores

 

MPSW10 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MPSW10
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 300 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 300 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 45 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 3 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO92

 Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar MPSW10

 

MPSW10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:158K  motorola
mpsw10.pdf

MPSW10
MPSW10

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MPSW10/DOne Watt High Voltage TransistorNPN SiliconMPSW10COLLECTOR32BASE1EMITTER123MAXIMUM RATINGSCASE 2905, STYLE 1Rating Symbol Value UnitTO92 (TO226AE)CollectorEmitter Voltage VCEO 300 VdcCollectorBase Voltage VCBO 300 VdcEmitterBase Voltage VEBO 6.0 VdcCollector Current

 0.1. Size:154K  motorola
mpsw10re.pdf

MPSW10
MPSW10

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MPSW10/DOne Watt High Voltage TransistorNPN SiliconMPSW10COLLECTOR32BASE1EMITTER123MAXIMUM RATINGSCASE 2905, STYLE 1Rating Symbol Value UnitTO92 (TO226AE)CollectorEmitter Voltage VCEO 300 VdcCollectorBase Voltage VCBO 300 VdcEmitterBase Voltage VEBO 6.0 VdcCollector Current

 9.1. Size:113K  motorola
mpsw13 mpsw14.pdf

MPSW10
MPSW10

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MPSW13/DOne Watt Darlington TransistorsMPSW13NPN SiliconMPSW14COLLECTOR 3BASE2EMITTER 1MAXIMUM RATINGS123Rating Symbol Value UnitCollectorEmitter Voltage VCES 30 VdcCASE 2905, STYLE 1CollectorBase Voltage VCBO 30 VdcTO92 (TO226AE)EmitterBase Voltage VEBO 10 VdcCollector Curren

 9.2. Size:68K  onsemi
mpsw13 mpsw14.pdf

MPSW10
MPSW10

ON SemiconductortMPSW13One Watt DarlingtonMPSW14TransistorsNPN SiliconMAXIMUM RATINGSRating Symbol Value UnitCollectorEmitter Voltage VCES 30 VdcCollectorBase Voltage VCBO 30 VdcEmitterBase Voltage VEBO 10 Vdc1Collector Current Continuous IC 1.0 Adc23Total Device Dissipation @ TA = 25C PD 1.0 WattsDerate above 25C 8.0 mW/CCASE 2910, STYLE

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top

 


MPSW10
  MPSW10
  MPSW10
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

BJT: C4977 | BP4N45S | BP4N38S | BP18N98S | BP15N98T | BM8N08A | BM3P03A | BM1P40A | BM05P06B | BM05P06A | BM05N06B | BM03P05 | BM03N05 | BL15P15A | BL15N15A | BL10P15A | BL10N15A | BA16P25A | BA16N25A | BA15P26B | BA15P26A

 

 

 
Back to Top