Справочник транзисторов. MPSW10

 

Биполярный транзистор MPSW10 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MPSW10
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 45 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO92
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

MPSW10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:158K  motorola
 mpsw10.pdf pdf_icon

MPSW10

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MPSW10/DOne Watt High Voltage TransistorNPN SiliconMPSW10COLLECTOR32BASE1EMITTER123MAXIMUM RATINGSCASE 2905, STYLE 1Rating Symbol Value UnitTO92 (TO226AE)CollectorEmitter Voltage VCEO 300 VdcCollectorBase Voltage VCBO 300 VdcEmitterBase Voltage VEBO 6.0 VdcCollector Current

 0.1. Size:154K  motorola
 mpsw10re.pdf pdf_icon

MPSW10

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MPSW10/DOne Watt High Voltage TransistorNPN SiliconMPSW10COLLECTOR32BASE1EMITTER123MAXIMUM RATINGSCASE 2905, STYLE 1Rating Symbol Value UnitTO92 (TO226AE)CollectorEmitter Voltage VCEO 300 VdcCollectorBase Voltage VCBO 300 VdcEmitterBase Voltage VEBO 6.0 VdcCollector Current

 9.1. Size:113K  motorola
 mpsw13 mpsw14.pdf pdf_icon

MPSW10

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MPSW13/DOne Watt Darlington TransistorsMPSW13NPN SiliconMPSW14COLLECTOR 3BASE2EMITTER 1MAXIMUM RATINGS123Rating Symbol Value UnitCollectorEmitter Voltage VCES 30 VdcCASE 2905, STYLE 1CollectorBase Voltage VCBO 30 VdcTO92 (TO226AE)EmitterBase Voltage VEBO 10 VdcCollector Curren

 9.2. Size:68K  onsemi
 mpsw13 mpsw14.pdf pdf_icon

MPSW10

ON SemiconductortMPSW13One Watt DarlingtonMPSW14TransistorsNPN SiliconMAXIMUM RATINGSRating Symbol Value UnitCollectorEmitter Voltage VCES 30 VdcCollectorBase Voltage VCBO 30 VdcEmitterBase Voltage VEBO 10 Vdc1Collector Current Continuous IC 1.0 Adc23Total Device Dissipation @ TA = 25C PD 1.0 WattsDerate above 25C 8.0 mW/CCASE 2910, STYLE

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: 2N3763S | CZTA77 | 2SC354

 

 
Back to Top

 


 
.