Справочник транзисторов. MPSW10

 

Биполярный транзистор MPSW10 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: MPSW10
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 45 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для MPSW10

 

 

MPSW10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:158K  motorola
mpsw10.pdf

MPSW10
MPSW10

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MPSW10/DOne Watt High Voltage TransistorNPN SiliconMPSW10COLLECTOR32BASE1EMITTER123MAXIMUM RATINGSCASE 2905, STYLE 1Rating Symbol Value UnitTO92 (TO226AE)CollectorEmitter Voltage VCEO 300 VdcCollectorBase Voltage VCBO 300 VdcEmitterBase Voltage VEBO 6.0 VdcCollector Current

 0.1. Size:154K  motorola
mpsw10re.pdf

MPSW10
MPSW10

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MPSW10/DOne Watt High Voltage TransistorNPN SiliconMPSW10COLLECTOR32BASE1EMITTER123MAXIMUM RATINGSCASE 2905, STYLE 1Rating Symbol Value UnitTO92 (TO226AE)CollectorEmitter Voltage VCEO 300 VdcCollectorBase Voltage VCBO 300 VdcEmitterBase Voltage VEBO 6.0 VdcCollector Current

 9.1. Size:113K  motorola
mpsw13 mpsw14.pdf

MPSW10
MPSW10

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MPSW13/DOne Watt Darlington TransistorsMPSW13NPN SiliconMPSW14COLLECTOR 3BASE2EMITTER 1MAXIMUM RATINGS123Rating Symbol Value UnitCollectorEmitter Voltage VCES 30 VdcCASE 2905, STYLE 1CollectorBase Voltage VCBO 30 VdcTO92 (TO226AE)EmitterBase Voltage VEBO 10 VdcCollector Curren

 9.2. Size:68K  onsemi
mpsw13 mpsw14.pdf

MPSW10
MPSW10

ON SemiconductortMPSW13One Watt DarlingtonMPSW14TransistorsNPN SiliconMAXIMUM RATINGSRating Symbol Value UnitCollectorEmitter Voltage VCES 30 VdcCollectorBase Voltage VCBO 30 VdcEmitterBase Voltage VEBO 10 Vdc1Collector Current Continuous IC 1.0 Adc23Total Device Dissipation @ TA = 25C PD 1.0 WattsDerate above 25C 8.0 mW/CCASE 2910, STYLE

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2N3906 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

History: 50A02CH

 

 
Back to Top