MRF224 Todos los transistores

 

MRF224 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MRF224
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 65 W
   Tensión colector-base (Vcb): 36 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 18 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Capacitancia de salida (Cc): 85 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 5
   Paquete / Cubierta: M174
     - Selección de transistores por parámetros

 

MRF224 Datasheet (PDF)

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MRF224

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF224/DThe RF LineNPN SiliconMRF224RF Power Transistor. . . designed for 12.5 Volt VHF largesignal power amplifier applicationsrequired in commercial and industrial equipment operating to VHF frequencies. Specified 12.5 Volt, 175 MHz Characteristics Output Power = 40 W40 W, 175 MHzPower Gain = 4.5 dB M

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MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF224/DThe RF LineNPN SiliconMRF224RF Power Transistor. . . designed for 12.5 Volt VHF largesignal power amplifier applicationsrequired in commercial and industrial equipment operating to VHF frequencies. Specified 12.5 Volt, 175 MHz Characteristics Output Power = 40 W40 W, 175 MHzPower Gain = 4.5 dB M

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History: KRA307 | UPA801TC-FB | CP430 | SGSF425 | UMB6N | SD451 | 410

 

 
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