MRF5211 Todos los transistores

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MRF5211 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MRF5211

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.333 W

Tensión colector-base (Vcb): 20 V

Tensión colector-emisor (Vce): 10 V

Tensión emisor-base (Veb): 2.5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.07 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 4200 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 1 pF

Ganancia de corriente contínua (hfe): 25

Empaquetado / Estuche: TO131

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MRF5211 Datasheet (PDF)

1.1. mmbr521lt1 mrf5211lt1.pdf Size:151K _motorola

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MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MMBR521LT1/D The RF Line PNP Silicon MMBR521LT1 High-Frequency Transistor MRF5211LT1 Designed primarily for use in the highgain, lownoise smallsignal amplifiers for operation up to 3.5 GHz. Also usable in applications requiring fast switching times. High Current GainBandwidth Product IC = 70 mA fT = 3.4 GHz (Typ) @

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