2N4932 Todos los transistores

 

2N4932 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N4932

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 70 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 25 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 120 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 10

Encapsulados: TO62

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2N4932 datasheet

 9.1. Size:58K  central
2n4928 2n4929 2n4930 2n4931.pdf pdf_icon

2N4932

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824

 9.2. Size:9K  semelab
2n4939dcsm.pdf pdf_icon

2N4932

"2N4938DCSM" 2N4939DCSM Dimensions in mm (inches). Dual Bipolar PNP Devices in a hermetically sealed LCC2 Ceramic Surface Mount Package for High Reliability 1.40 0.15 2.29 0.20 1.65 0.13 (0.055 0.006) (0.09 0.008) (0.065 0.005) Applications 2 3 1 4 Dual Bipolar PNP Devices. A 0.23 6 5 rad. (0.009) V = 40V CEO 6.22 0.13 A = 1.2

 9.3. Size:55K  microsemi
2n3743 2n4930 2n4931.pdf pdf_icon

2N4932

TECHNICAL DATA PNP HIGH VOLTAGE SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/397 Devices Qualified Level JAN, JANTX 2N3743 2N4930 2N4931 JANTXV MAXIMUM RATINGS Ratings Sym 2N3743 2N4930 2N4931 Unit Collector-Emitter Voltage 300 200 250 Vdc VCEO Collector-Base Voltage 300 200 250 Vdc VCBO Emitter-Base Voltage 5.0 Vdc VEBO Collector Current 200 mAdc IC Total

Otros transistores... 2N4928 , 2N4928S , 2N4929 , 2N4929S , 2N4930 , 2N4930S , 2N4931 , 2N4931S , 13007 , 2N4933 , 2N4934 , 2N4935 , 2N4936 , 2N4937 , 2N4937DCSM , 2N4938 , 2N4938DCSM .

 

 

 


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