2N495-18 Todos los transistores

 

2N495-18 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N495-18
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 25 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 140 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 8 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 12 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 9
   Paquete / Cubierta: TO18
     - Selección de transistores por parámetros

 

2N495-18 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:60K  fairchild semi
 2n4953.pdf pdf_icon

2N495-18

2N4953NPN General Purpose Amplifier This device designed for use as general purpose amplifier and switches requiring collector currents to 500mA. Sourced from Process 10.TO-9211. Emitter 2. Collector 3. BaseNPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings* Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 30 VVCBO C

 9.2. Size:43K  semicoa
 2n4957.pdf pdf_icon

2N495-18

Data Sheet No. 2N4957Generic Part Number:Type 2N49572N4957Geometry 0006Polarity PNPREF: MIL-PRF-19500/426Qual Level: JAN - JANSFeatures: Small signal RF silicon transistordesigned for high-gain, low-noiseapplications. Housed in a TO-72 case. Also available in chip form usingthe 0006 chip geometry. The Min and Max limits shown areper MIL-PRF-19500/426

 9.3. Size:1285K  sprague
 2n4265 2n4400 2n4401 2n4402 2n4403 2n4409 2n4410 2n4424 2n4425 2n4951 2n4952 2n4953 2n4954 2n5087 2n5088 2n5089.pdf pdf_icon

2N495-18

Otros transistores... 2N4942 , 2N4943 , 2N4944 , 2N4945 , 2N4946 , 2N495 , 2N4950 , 2N4951 , S8550 , 2N4952 , 2N4953 , 2N4954 , 2N4955 , 2N4955-78 , 2N4956 , 2N4956-78 , 2N4957 .

History: 2N6364 | ZDT1049 | 2SC3110

 

 
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