2N4955 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N4955
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.45 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 60 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 150
Encapsulados: R137
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2N4955 datasheet
2n4953.pdf
2N4953 NPN General Purpose Amplifier This device designed for use as general purpose amplifier and switches requiring collector currents to 500mA. Sourced from Process 10. TO-92 1 1. Emitter 2. Collector 3. Base NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings* Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 30 V VCBO C
2n4957.pdf
Data Sheet No. 2N4957 Generic Part Number Type 2N4957 2N4957 Geometry 0006 Polarity PNP REF MIL-PRF-19500/426 Qual Level JAN - JANS Features Small signal RF silicon transistor designed for high-gain, low-noise applications. Housed in a TO-72 case. Also available in chip form using the 0006 chip geometry. The Min and Max limits shown are per MIL-PRF-19500/426
2n4265 2n4400 2n4401 2n4402 2n4403 2n4409 2n4410 2n4424 2n4425 2n4951 2n4952 2n4953 2n4954 2n5087 2n5088 2n5089.pdf
Otros transistores... 2N4946 , 2N495 , 2N4950 , 2N4951 , 2N495-18 , 2N4952 , 2N4953 , 2N4954 , 2SA1837 , 2N4955-78 , 2N4956 , 2N4956-78 , 2N4957 , 2N4957UB , 2N4958 , 2N4958UB , 2N4959 .
History: 2N4306
History: 2N4306
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Liste
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