2N4958UB . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N4958UB
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
Tensión colector-base (Vcb): 20 V
Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
Tensión emisor-base (Veb): 3 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 1600 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 0.4 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
Paquete / Cubierta: LCC3
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2N4958UB Datasheet (PDF)
2n4953.pdf
2N4953NPN General Purpose Amplifier This device designed for use as general purpose amplifier and switches requiring collector currents to 500mA. Sourced from Process 10.TO-9211. Emitter 2. Collector 3. BaseNPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings* Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 30 VVCBO C
2n4957.pdf
Data Sheet No. 2N4957Generic Part Number:Type 2N49572N4957Geometry 0006Polarity PNPREF: MIL-PRF-19500/426Qual Level: JAN - JANSFeatures: Small signal RF silicon transistordesigned for high-gain, low-noiseapplications. Housed in a TO-72 case. Also available in chip form usingthe 0006 chip geometry. The Min and Max limits shown areper MIL-PRF-19500/426
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .