Биполярный транзистор 2N4958UB - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N4958UB
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1600 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.4 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: LCC3
2N4958UB Datasheet (PDF)
2n4953.pdf
2N4953NPN General Purpose Amplifier This device designed for use as general purpose amplifier and switches requiring collector currents to 500mA. Sourced from Process 10.TO-9211. Emitter 2. Collector 3. BaseNPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings* Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 30 VVCBO C
2n4957.pdf
Data Sheet No. 2N4957Generic Part Number:Type 2N49572N4957Geometry 0006Polarity PNPREF: MIL-PRF-19500/426Qual Level: JAN - JANSFeatures: Small signal RF silicon transistordesigned for high-gain, low-noiseapplications. Housed in a TO-72 case. Also available in chip form usingthe 0006 chip geometry. The Min and Max limits shown areper MIL-PRF-19500/426
Другие транзисторы... 2N4954 , 2N4955 , 2N4955-78 , 2N4956 , 2N4956-78 , 2N4957 , 2N4957UB , 2N4958 , 2SC2625 , 2N4959 , 2N4959UB , 2N496 , 2N4960 , 2N4961 , 2N496-18 , 2N4962 , 2N4963 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050