Справочник транзисторов. 2N4958UB

 

Биполярный транзистор 2N4958UB - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2N4958UB

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1600 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20

Корпус транзистора: LCC3

Аналоги (замена) для 2N4958UB

 

 

2N4958UB Datasheet (PDF)

5.1. 2n4953.pdf Size:60K _fairchild_semi

2N4958UB
2N4958UB

2N4953 NPN General Purpose Amplifier • This device designed for use as general purpose amplifier and switches requiring collector currents to 500mA. • Sourced from Process 10. TO-92 1 1. Emitter 2. Collector 3. Base NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings* Ta=25°C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 30 V VCBO C

5.2. 2n4957.pdf Size:43K _semicoa

2N4958UB
2N4958UB

Data Sheet No. 2N4957 Generic Part Number: Type 2N4957 2N4957 Geometry 0006 Polarity PNP REF: MIL-PRF-19500/426 Qual Level: JAN - JANS Features: • Small signal RF silicon transistor designed for high-gain, low-noise applications. • Housed in a TO-72 case. • Also available in chip form using the 0006 chip geometry. • The Min and Max limits shown are per MIL-PRF-19500/426

Другие транзисторы... 2N4954 , 2N4955 , 2N4955-78 , 2N4956 , 2N4956-78 , 2N4957 , 2N4957UB , 2N4958 , TIP41C , 2N4959 , 2N4959UB , 2N496 , 2N4960 , 2N4961 , 2N496-18 , 2N4962 , 2N4963 .

 

 
Back to Top