2N5025 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N5025
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 45 W
Tensión colector-base (Vcb): 75 V
Tensión colector-emisor (Vce): 75 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 7.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 85 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
Paquete / Cubierta: TO62
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2N5025
2N5025 Datasheet (PDF)
2n5022 2n5023.pdf
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824
2n5020 2n5021.pdf
Databook.fxp 1/13/99 2:09 PM Page B-18B-18 01/992N5020, 2N5021P-Channel Silicon Junction Field-Effect TransistorAbsolute maximum ratings at TA = 25C Analog SwitchesReverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage 50 VContinuous Forward Gate Current 50 mAContinuous Device Power Dissipation 500 mWPower Derating 4 mW/CStorage Temperature Range 65C to + 200CA
Otros transistores... 2N5016 , 2N5017 , 2N501A , 2N502 , 2N5022 , 2N5023 , 2N5023S , 2N5024 , BC337 , 2N5026 , 2N5027 , 2N5028 , 2N5029 , 2N502A , 2N502B , 2N503 , 2N5030 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050