2N5025 - описание и поиск аналогов

 

2N5025. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N5025

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 75 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 85 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO62

 Аналоги (замена) для 2N5025

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N5025 даташит

 9.1. Size:73K  central
 2n5022 2n5023.pdf pdf_icon

2N5025

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824

 9.2. Size:89K  interfet
 2n5020 2n5021.pdf pdf_icon

2N5025

Databook.fxp 1/13/99 2 09 PM Page B-18 B-18 01/99 2N5020, 2N5021 P-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor Absolute maximum ratings at TA = 25 C Analog Switches Reverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage 50 V Continuous Forward Gate Current 50 mA Continuous Device Power Dissipation 500 mW Power Derating 4 mW/ C Storage Temperature Range 65 C to + 200 C A

Другие транзисторы: 2N5016, 2N5017, 2N501A, 2N502, 2N5022, 2N5023, 2N5023S, 2N5024, TIP3055, 2N5026, 2N5027, 2N5028, 2N5029, 2N502A, 2N502B, 2N503, 2N5030

 

 

 

 

↑ Back to Top
.