2N5026 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N5026
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 45 W
Tensión colector-base (Vcb): 90 V
Tensión colector-emisor (Vce): 90 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 7.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 60 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
Paquete / Cubierta: TO62
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2N5026
2N5026 Datasheet (PDF)
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145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824
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Databook.fxp 1/13/99 2:09 PM Page B-18B-18 01/992N5020, 2N5021P-Channel Silicon Junction Field-Effect TransistorAbsolute maximum ratings at TA = 25C Analog SwitchesReverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage 50 VContinuous Forward Gate Current 50 mAContinuous Device Power Dissipation 500 mWPower Derating 4 mW/CStorage Temperature Range 65C to + 200CA
Otros transistores... 2N5017 , 2N501A , 2N502 , 2N5022 , 2N5023 , 2N5023S , 2N5024 , 2N5025 , BD140 , 2N5027 , 2N5028 , 2N5029 , 2N502A , 2N502B , 2N503 , 2N5030 , 2N5031 .
