2N5026 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N5026
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 45 W
Tensión colector-base (Vcb): 90 V
Tensión colector-emisor (Vce): 90 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 7.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 150 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 60 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 20
Encapsulados: TO62
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2N5026 datasheet
2n5022 2n5023.pdf
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824
2n5020 2n5021.pdf
Databook.fxp 1/13/99 2 09 PM Page B-18 B-18 01/99 2N5020, 2N5021 P-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor Absolute maximum ratings at TA = 25 C Analog Switches Reverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage 50 V Continuous Forward Gate Current 50 mA Continuous Device Power Dissipation 500 mW Power Derating 4 mW/ C Storage Temperature Range 65 C to + 200 C A
Otros transistores... 2N5017, 2N501A, 2N502, 2N5022, 2N5023, 2N5023S, 2N5024, 2N5025, D882, 2N5027, 2N5028, 2N5029, 2N502A, 2N502B, 2N503, 2N5030, 2N5031
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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