2N5026 Todos los transistores

 

2N5026 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N5026
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 45 W
   Tensión colector-base (Vcb): 90 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 90 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 7.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 60 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: TO62
     - Selección de transistores por parámetros

 

2N5026 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:73K  central
2n5022 2n5023.pdf pdf_icon

2N5026

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

 9.2. Size:89K  interfet
2n5020 2n5021.pdf pdf_icon

2N5026

Databook.fxp 1/13/99 2:09 PM Page B-18B-18 01/992N5020, 2N5021P-Channel Silicon Junction Field-Effect TransistorAbsolute maximum ratings at TA = 25C Analog SwitchesReverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage 50 VContinuous Forward Gate Current 50 mAContinuous Device Power Dissipation 500 mWPower Derating 4 mW/CStorage Temperature Range 65C to + 200CA

Otros transistores... 2N5017 , 2N501A , 2N502 , 2N5022 , 2N5023 , 2N5023S , 2N5024 , 2N5025 , 2SC2073 , 2N5027 , 2N5028 , 2N5029 , 2N502A , 2N502B , 2N503 , 2N5030 , 2N5031 .

History: 2N6062 | FPS6530 | 5NU72 | 2SD1912S

 

 
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