2N5029 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N5029
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.32 W
Tensión colector-base (Vcb): 40 V
Tensión colector-emisor (Vce): 15 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 500 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 4 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
Paquete / Cubierta: TO92
- Selección de transistores por parámetros
2N5029 Datasheet (PDF)
2n5022 2n5023.pdf

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824
2n5020 2n5021.pdf

Databook.fxp 1/13/99 2:09 PM Page B-18B-18 01/992N5020, 2N5021P-Channel Silicon Junction Field-Effect TransistorAbsolute maximum ratings at TA = 25C Analog SwitchesReverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage 50 VContinuous Forward Gate Current 50 mAContinuous Device Power Dissipation 500 mWPower Derating 4 mW/CStorage Temperature Range 65C to + 200CA
Otros transistores... 2N5022 , 2N5023 , 2N5023S , 2N5024 , 2N5025 , 2N5026 , 2N5027 , 2N5028 , BC557 , 2N502A , 2N502B , 2N503 , 2N5030 , 2N5031 , 2N5032 , 2N5034 , 2N5035 .
History: 2SC3235 | KRC663U | DTC123JEB | 2SB443A | 2N5862 | 2SC765 | NKT108
History: 2SC3235 | KRC663U | DTC123JEB | 2SB443A | 2N5862 | 2SC765 | NKT108



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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