2N5029 Todos los transistores

 

2N5029 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N5029
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.32 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 15 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 500 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 4 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO92

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2N5029 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:73K  central
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145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824

 9.2. Size:89K  interfet
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Databook.fxp 1/13/99 2 09 PM Page B-18 B-18 01/99 2N5020, 2N5021 P-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor Absolute maximum ratings at TA = 25 C Analog Switches Reverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage 50 V Continuous Forward Gate Current 50 mA Continuous Device Power Dissipation 500 mW Power Derating 4 mW/ C Storage Temperature Range 65 C to + 200 C A

Otros transistores... 2N5022 , 2N5023 , 2N5023S , 2N5024 , 2N5025 , 2N5026 , 2N5027 , 2N5028 , 13009 , 2N502A , 2N502B , 2N503 , 2N5030 , 2N5031 , 2N5032 , 2N5034 , 2N5035 .

History: NE02132 | BCW60CLT1 | 2SD1543 | BC33716BU | BCW31CSM | KTC5242A

 

 
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