NTE330 Todos los transistores

 

NTE330 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTE330
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 87.5 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 25 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 0.4 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
 

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NTE330 Datasheet (PDF)

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NTE330

NTE3302Insulated Gate Bipolar TransistorN-Channel Enhancement Mode,High Speed SwitchFeatures:D High Input ImpedanceD High SpeedD Low Saturation VoltageD Enhancement ModeApplications:D High Power SwitchingD Motor ControlAbsolute Maximum Raings: (TA = +25C unless otherwise specified)Collector-Emitter Voltage, VCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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NTE330

NTE3301Insulated Gate Bipolar TransistorN-Channel Enhancement Mode,High Speed SwitchFeatures:D High Input ImpedanceD Low Saturation VoltageD Enhancement ModeD 20V Gate DriveApplications:D High Power SwitchingD Motor ControlAbsolute Maximum Raings: (TA = +25C unless otherwise specified)Collector-Emitter Voltage, VCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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NTE330

NTE3300Insulated Gate Bipolar TransistorN-Channel Enhancement Mode,High Speed SwitchFeatures:D High Input ImpedanceD Low Saturation VoltageD Enhancement ModeD 20V Gate DriveApplications:D High Power SwitchingD Motor ControlAbsolute Maximum Raings: (TA = +25C unless otherwise specified)Collector-Emitter Voltage, VCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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NTE330

NTE3303Insulated Gate Bipolar TransistorN-Channel Enhancement Mode,High Speed SwitchFeatures:D High Input ImpedanceD High SpeedD Low Saturation VoltageD Enhancement ModeApplications:D High Power SwitchingD Motor ControlAbsolute Maximum Raings: (TA = +25C unless otherwise specified)Collector-Emitter Voltage, VCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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