NTE330. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: NTE330
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 87.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25 A
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.4 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15
Аналоги (замена) для NTE330
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
NTE330 даташит
nte3302.pdf
NTE3302 Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch Features D High Input Impedance D High Speed D Low Saturation Voltage D Enhancement Mode Applications D High Power Switching D Motor Control Absolute Maximum Raings (TA = +25 C unless otherwise specified) Collector-Emitter Voltage, VCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
nte3301.pdf
NTE3301 Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch Features D High Input Impedance D Low Saturation Voltage D Enhancement Mode D 20V Gate Drive Applications D High Power Switching D Motor Control Absolute Maximum Raings (TA = +25 C unless otherwise specified) Collector-Emitter Voltage, VCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
nte3300.pdf
NTE3300 Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch Features D High Input Impedance D Low Saturation Voltage D Enhancement Mode D 20V Gate Drive Applications D High Power Switching D Motor Control Absolute Maximum Raings (TA = +25 C unless otherwise specified) Collector-Emitter Voltage, VCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
nte3303.pdf
NTE3303 Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch Features D High Input Impedance D High Speed D Low Saturation Voltage D Enhancement Mode Applications D High Power Switching D Motor Control Absolute Maximum Raings (TA = +25 C unless otherwise specified) Collector-Emitter Voltage, VCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Другие транзисторы: NTE272, NTE274, NTE275, NTE28, NTE302, NTE306, NTE315, NTE316, TIP35C, NTE382, NTE383, NTE41, NTE42, NTE43, NTE44, NTE45, NTE46
History: 2SB173 | NTE306 | BSV10-6 | 2N2221AX | HA21I | BST62 | 2N5134
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
bc239 transistor equivalent | 3sk41 | 2sc2240 transistor | c3198 | 2sc793 | 2sd313 replacement | 2n4249 | a1013 transistor




