OD603 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: OD603
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 8 W
Tensión colector-base (Vcb): 40 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 10 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 110 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 0.1 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 25
Encapsulados: SPECIAL
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OD603 datasheet
aod603a.pdf
AOD603A 60V Complementary MOSFET General Description Product Summary N-Channel P-Channel The AOD603A uses advanced trench technology MOSFETs to provide excellent RDS(ON) and low gate VDS= 60V -60V charge. The complementary MOSFETs may be ID= 13A (VGS=10V) -13A (VGS=-10V) used in H-bridge, Inverters and other applications. RDS(ON) RDS(ON)
aod603a.pdf
AOD603A www.VBsemi.tw N- and P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.030 at VGS = 10 V 35 TrenchFET Power MOSFET N-Channel 60 6 nC 0.033 at VGS = 4.5 V 30 100 % Rg and UIS Tested 0.050 at VGS = - 10 V - 19 APPLICATIONS P-Channel - 60 8 nC 0.060 at VGS = -
Otros transistores... OC84N, OC870, OC871, OC872, OC880, OC881, OC882, OC883, 2SA1837, OD603-50, OD604, P201AE, P201E, P202E, P203E, P207, P207A
History: P201E
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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