OD603 Todos los transistores

 

OD603 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: OD603
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 8 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 110 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 0.1 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
   Paquete / Cubierta: SPECIAL
     - Selección de transistores por parámetros

 

OD603 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:392K  aosemi
 aod603a.pdf pdf_icon

OD603

AOD603A60V Complementary MOSFETGeneral Description Product Summary N-Channel P-ChannelThe AOD603A uses advanced trench technologyMOSFETs to provide excellent RDS(ON) and low gateVDS= 60V -60Vcharge. The complementary MOSFETs may be ID= 13A (VGS=10V) -13A (VGS=-10V)used in H-bridge, Inverters and other applications. RDS(ON) RDS(ON)

 0.2. Size:940K  cn vbsemi
 aod603a.pdf pdf_icon

OD603

AOD603Awww.VBsemi.twN- and P-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.030 at VGS = 10 V 35 TrenchFET Power MOSFETN-Channel 60 6 nC0.033 at VGS = 4.5 V 30 100 % Rg and UIS Tested0.050 at VGS = - 10 V - 19APPLICATIONSP-Channel - 60 8 nC0.060 at VGS = -

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: MMBT3906Z | 2SC1756C | 2T7533C | NST65010MW6 | BU2727AF | 2N6690 | 2SA1154

 

 
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