P217 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: P217
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 15 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 7.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 75 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hFE): 15
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P217 datasheet
dmp2170u.pdf
DMP2170U 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID max BVDSS RDS(ON) max Low Input Capacitance TA = +25 C Fast Switching Speed 90m @ VGS = -4.5V -3.1A Low Input/Output Leakage -20V 250m @ VGS = -2.5V -1.8A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony F
Otros transistores... P214V, P215, P216, P216A, P216B, P216D, P216G, P216V, 2SC2240, P217A, P217B, P217G, P217V, P27, P27A, P28, P29
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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