P217 Todos los transistores

 

P217 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: P217
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 15 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 7.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 75 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
 

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P217 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:370K  diodes
 dmp2170u.pdf pdf_icon

P217

DMP2170U 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID max BVDSS RDS(ON) max Low Input Capacitance TA = +25C Fast Switching Speed 90m @ VGS = -4.5V -3.1A Low Input/Output Leakage -20V 250m @ VGS = -2.5V -1.8A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony F

 0.2. Size:1104K  russia
 p216a-b-v-g-d p217a-b-v-g.pdf pdf_icon

P217

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History: KTA1759 | DTB114EN3 | CJF715 | 2SD2589P | 2SD1839 | LBC549CP | KTA1807L

 

 
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