2N509 Todos los transistores

 

2N509 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N509

Material: Ge

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.225 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.04 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 750 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 20

Encapsulados: TO28

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2N509 datasheet

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2N509

2N5095 Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a 8.51 (0.34) 9.40 (0.37) Hermetically sealed TO39 7.75 (0.305) 8.51 (0.335) Metal Package. 6.10 (0.240) 6.60 (0.260) Bipolar NPN Device. 0.89 max. (0.035) 12.70 (0.500) min. 0.41 (0.016) 0.53 (0.021) VCEO = 400V dia. IC = 1A 5.08 (0.200) typ. 2.54 All Semelab hermetically sealed products 2 (0.100) 1 3

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2N509

2N5099 Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a 8.51 (0.34) 9.40 (0.37) Hermetically sealed TO39 7.75 (0.305) 8.51 (0.335) Metal Package. 6.10 (0.240) 6.60 (0.260) Bipolar NPN Device. 0.89 max. (0.035) 12.70 (0.500) min. 0.41 (0.016) 0.53 (0.021) VCEO = 550V dia. IC = 1A 5.08 (0.200) typ. 2.54 All Semelab hermetically sealed products 2 (0.100) 1 3

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History: NTE18 | 2N5217 | 2N524 | 2N523A | 2N5218

 

 

 

 

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