PN5130 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PN5130

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Tensión colector-emisor (Vce): 12 V

Tensión emisor-base (Veb): 1 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 450 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 3 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 12

Encapsulados: TO92

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PN5130 datasheet

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PN5130

PN5134 NPN General Purpose Amplifier This device is designed for use as general purpose amplifiers and switches requiring collector currents to 300mA. TO-92 1 1. Emitter 2. Base 3. Collector Absolute Maximum Ratings* TA=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 10 V VCBO Collector-Base Voltage 20 V VEBO Emitter-Base Voltage 3.5 V I

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PN5130

Discrete POWER & Signal Technologies PN5138 C TO-92 B E PNP General Purpose Amplifier This device is designed for use as general purpose amplifiers and switches requiring collector currents to 300 mA. Sourced from Process 68. See PN200 for characteristics. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 30 V V

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