PN5132 Todos los transistores

 

PN5132 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PN5132
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 20 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 3 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 3.5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: TO92
 

 Búsqueda de reemplazo de PN5132

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

Principales características: PN5132

 9.1. Size:28K  fairchild semi
 pn5134.pdf pdf_icon

PN5132

PN5134 NPN General Purpose Amplifier This device is designed for use as general purpose amplifiers and switches requiring collector currents to 300mA. TO-92 1 1. Emitter 2. Base 3. Collector Absolute Maximum Ratings* TA=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 10 V VCBO Collector-Base Voltage 20 V VEBO Emitter-Base Voltage 3.5 V I

 9.2. Size:293K  fairchild semi
 pn5138.pdf pdf_icon

PN5132

Discrete POWER & Signal Technologies PN5138 C TO-92 B E PNP General Purpose Amplifier This device is designed for use as general purpose amplifiers and switches requiring collector currents to 300 mA. Sourced from Process 68. See PN200 for characteristics. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 30 V V

Otros transistores... PN4917 , PN4964 , PN4965 , PN5127 , PN5128 , PN5129 , PN5130 , PN5131 , 2N2907 , PN5133 , PN5134 , PN5135 , PN5136 , PN5137 , PN5138 , PN5139 , PN5140 .

 

 
Back to Top

 


 
.