PN5132 Todos los transistores

 

PN5132 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PN5132
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 20 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 3 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 3.5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: TO92
 

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PN5132 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:28K  fairchild semi
 pn5134.pdf pdf_icon

PN5132

PN5134NPN General Purpose Amplifier This device is designed for use as general purpose amplifiers and switches requiring collector currents to 300mA.TO-9211. Emitter 2. Base 3. CollectorAbsolute Maximum Ratings* TA=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 10 VVCBO Collector-Base Voltage 20 VVEBO Emitter-Base Voltage 3.5 VI

 9.2. Size:293K  fairchild semi
 pn5138.pdf pdf_icon

PN5132

Discrete POWER & SignalTechnologiesPN5138C TO-92BEPNP General Purpose AmplifierThis device is designed for use as general purpose amplifiersand switches requiring collector currents to 300 mA. Sourcedfrom Process 68. See PN200 for characteristics.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 30 VV

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History: CHDTC144TEGP | STA301A

 

 
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