PN930R . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PN930R
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
Tensión colector-base (Vcb): 45 V
Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 30 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
Paquete / Cubierta: TO92
- Selección de transistores por parámetros
PN930R Datasheet (PDF)
pn930.pdf

PN930NPN General Purpose Amplifier This device is designed for low noise, high gain, general purpose applications at collector currents from 1A to 50mA.TO-9211. Emitter 2. Base 3. CollectorAbsolute Maximum Ratings* TA=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 45 VVCBO Collector-Base Voltage 45 VVEBO Emitter-Base Voltage 5.0
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: EMZ1FHA | SGSIF444 | GES5857 | PN4142 | MSG36E31 | KSD1588 | BD138-10
History: EMZ1FHA | SGSIF444 | GES5857 | PN4142 | MSG36E31 | KSD1588 | BD138-10



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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