PN930R - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PN930R
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: TO92
Аналоги (замена) для PN930R
PN930R Datasheet (PDF)
pn930.pdf

PN930NPN General Purpose Amplifier This device is designed for low noise, high gain, general purpose applications at collector currents from 1A to 50mA.TO-9211. Emitter 2. Base 3. CollectorAbsolute Maximum Ratings* TA=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 45 VVCBO Collector-Base Voltage 45 VVEBO Emitter-Base Voltage 5.0
Другие транзисторы... PN901 , PN911 , PN918 , PN918R , PN929 , PN929A , PN930 , PN930A , S8050 , PO38 , PO39 , PT1837 , PT2896 , PT3151A , PT3501 , PT515 , PT516 .
History: 2N1947 | 2N1955 | 2SA1357O | 2N2095 | 2SB1295-6 | S9013D | 2SB977A
History: 2N1947 | 2N1955 | 2SA1357O | 2N2095 | 2SB1295-6 | S9013D | 2SB977A



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
pkch2bb mosfet | 2024ont | 2n1306 transistor | 2sa750 datasheet | 2sa940 transistor datasheet | 2sb549 | 5n50 mosfet equivalent | a1016 transistor