RCS30 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RCS30

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W

Tensión colector-emisor (Vce): 40 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 3 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 15

Encapsulados: TO66

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RCS30 datasheet

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RCS30

BRCS30P10IP Rev.A Sep.-2018 DATA SHEET / Descriptions TO-251 P MOS P-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features R C DS(on) rss Low RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching. / Applications DC/DC

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RCS30

BRCS300P016ZJ Rev.A Sep.-2022 DATA SHEET / Descriptions DFN 2 2B-6L P MOS P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a DFN 2 2B-6L Plastic Package. / Features V (V) = -16V I = -11A DS D R DS(ON)@-4.5V 32m HF Product. / Applications

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