RCS30. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RCS30

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO66

 Аналоги (замена) для RCS30

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RCS30 даташит

 0.1. Size:860K  blue-rocket-elect
 brcs30n10dp.pdf pdf_icon

RCS30

 0.2. Size:1563K  blue-rocket-elect
 brcs300p016mc.pdf pdf_icon

RCS30

 0.3. Size:894K  blue-rocket-elect
 brcs30p10ip.pdf pdf_icon

RCS30

BRCS30P10IP Rev.A Sep.-2018 DATA SHEET / Descriptions TO-251 P MOS P-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features R C DS(on) rss Low RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching. / Applications DC/DC

 0.4. Size:560K  blue-rocket-elect
 brcs300p016zj.pdf pdf_icon

RCS30

BRCS300P016ZJ Rev.A Sep.-2022 DATA SHEET / Descriptions DFN 2 2B-6L P MOS P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a DFN 2 2B-6L Plastic Package. / Features V (V) = -16V I = -11A DS D R DS(ON)@-4.5V 32m HF Product. / Applications

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: RCP705, RCP705B, RCP706, RCP706B, RCP707, RCP707B, RCS258, RCS29, S9014, RCS31, RCS32, RCS579, RCS617, RCS618, RCS880, RCS881, RCS882