RCS31 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RCS31

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W

Tensión colector-emisor (Vce): 40 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 3 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 10

Encapsulados: TO66

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RCS31 datasheet

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RCS31

BRCS3134WA Rev.C Nov.-2023 DATA SHEET / Descriptions SOT-323 N MOS N-Channel MOSFET in a SOT-323 Plastic Package. / Features 2KV Sensitive gate trigger current and Low Holding current.ESD protected up to 2KV, HF Product. / Applications

 0.2. Size:1784K  blue-rocket-elect
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RCS31

BRCS3139ZK Rev.A May.-2023 DATA SHEET / Descriptions DFN1006-3L P MOS P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a DFN1006-3L Plastic Package. / Features V =-20V I =-0.7A V = 12V DS D GS R DS(on)@-4.5V 520m (Type.390m ) R DS(on)@-2.5V 780m (Type.530m ) R DS(on)@-1.8V 1100m (Type.700m ) ES

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RCS31

BRCS3134ZK Rev.C Feb.-2023 DATA SHEET / Descriptions DFN1006-3L N MOS N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a DFN1006-3L Plastic Package. / Features 2KV Sensitive gate trigger current and Low Holding current.ESD protected up t

Otros transistores... RCP705B, RCP706, RCP706B, RCP707, RCP707B, RCS258, RCS29, RCS30, BC327, RCS32, RCS579, RCS617, RCS618, RCS880, RCS881, RCS882, RE1102