S2121 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: S2121

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.36 W

Tensión colector-base (Vcb): 40 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 250 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 8 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 60

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S2121 datasheet

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S2121

Document Number MRF7S21210H Freescale Semiconductor Rev. 1, 1/2009 Technical Data RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs MRF7S21210HR3 Designed for CDMA base station applications with frequencies from 2110 to MRF7S21210HSR3 2170 MHz. Can be used in Class AB and Class C for all typical cellular base station modulations. Typical Single -Carrie

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