SD4261 Todos los transistores

 

SD4261 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SD4261
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 15 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 15 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 2000 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 2.5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: LCC2
 
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SD4261 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:116K  inchange semiconductor
 2sd425 2sd426.pdf pdf_icon

SD4261

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD425 2SD426 DESCRIPTION With TO-3 package Complement to type 2SB555/556 High power dissipation APPLICATIONS Power amplifier applications Recommended for high-power high-fidelity audio frequency amplifier output stage PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplifi

 9.2. Size:208K  inchange semiconductor
 2sd426.pdf pdf_icon

SD4261

isc Silicon NPN Power Transistors 2SD426DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 120V(Min)(BR)CEOHigh Power Dissipation-: P = 100W(Max)@T =25C CComplement to Type 2SB556Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplifier applications.Recommended for high-fidelity audio freq

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