SE8510 Todos los transistores

 

SE8510 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SE8510
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W
   Tensión colector-base (Vcb): 6 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 20 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO5
 

 Búsqueda de reemplazo de SE8510

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SE8510 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:743K  cn sino-ic
 se85130ga.pdf pdf_icon

SE8510

SE85130GAN-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesAdvanced trench technology to provide For a single MOSFETexcellent RDS(ON), low gate charge and low V = 85VDSoperation voltage. This device is suitable for R =4.6m @ V =10VDS(ON) GSusing as a load switch or in PWMapplications. Simple Drive Requirement Small Package Outline

Otros transistores... SE7005 , SE7055 , SE7056 , SE8001 , SE8002 , SE8010 , SE8041 , SE8042 , 2SC1740 , SE8520 , SE8521 , SE8541 , SE8542 , SE9300 , SE9301 , SE9302 , SE9400 .

History: NSBC113EDXV6T1G

 

 
Back to Top

 


 
.