SFT130 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SFT130

Material: Ge

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.55 W

Tensión colector-base (Vcb): 24 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 12 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 75 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 0.5 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 30

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SFT130 datasheet

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SFT130

SFT1342 Ordering number ENA1559 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device SFT1342 Applications Features Motor drive application. 4V drive. Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS --60 V Gate-to-Source Voltage VGSS 20 V Drain Current (DC)

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SFT130

SFT1341 Ordering number ENA1444 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device SFT1341 Applications Features 1.8V drive. Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS --40 V Gate-to-Source Voltage VGSS 10 V Drain Current (DC) ID --10 A Drain Current (P

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SFT130

SFT1345 Ordering number EN8987 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device SFT1345 Applications Features ON-resistance RDS(on)1=210m (typ.) Input Capacitance Ciss=1020pF(typ.) 4V drive Halogen free compliance Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-

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SFT130

SFT1350 Ordering number ENA1874 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device SFT1350 Applications Features ON-resistance RDS(on)1=45m (typ.) Input Capacitance Ciss=590pF(typ.) 4.5V drive Halogen free compliance Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain

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