SFT130. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SFT130

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.55 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 24 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 75 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

 Аналоги (замена) для SFT130

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SFT130 даташит

 9.1. Size:491K  sanyo
 sft1342.pdf pdf_icon

SFT130

SFT1342 Ordering number ENA1559 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device SFT1342 Applications Features Motor drive application. 4V drive. Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS --60 V Gate-to-Source Voltage VGSS 20 V Drain Current (DC)

 9.2. Size:486K  sanyo
 sft1341.pdf pdf_icon

SFT130

SFT1341 Ordering number ENA1444 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device SFT1341 Applications Features 1.8V drive. Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS --40 V Gate-to-Source Voltage VGSS 10 V Drain Current (DC) ID --10 A Drain Current (P

 9.3. Size:358K  sanyo
 sft1345.pdf pdf_icon

SFT130

SFT1345 Ordering number EN8987 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device SFT1345 Applications Features ON-resistance RDS(on)1=210m (typ.) Input Capacitance Ciss=1020pF(typ.) 4V drive Halogen free compliance Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-

 9.4. Size:361K  sanyo
 sft1350.pdf pdf_icon

SFT130

SFT1350 Ordering number ENA1874 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device SFT1350 Applications Features ON-resistance RDS(on)1=45m (typ.) Input Capacitance Ciss=590pF(typ.) 4.5V drive Halogen free compliance Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: SFT122, SFT123, SFT124, SFT125, SFT125P, SFT126, SFT127, SFT128, 2SC1815, SFT131, SFT131P, SFT141, SFT142, SFT143, SFT144, SFT145, SFT146