SGS120 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SGS120

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 65 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 1000

Encapsulados: TO126

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SGS120 datasheet

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SGS120

SGS125 SILICON PNP POWER DARLINGTON TRANSISTOR SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE PNP DARLINGTON INTEGRATED ANTIPARALLEL COLLECTOR-EMITTER DIODE APPLICATION GENERAL PURPOSE SWITCHING DESCRIPTION 3 The SGS125 is a silicon epitaxial-base PNP 2 1 transistor in monolithic Darlington configuration in SOT82 plastic package, intented for use in power SOT-82 linear and switching ap

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