SGS120. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SGS120

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 1000

Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для SGS120

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SGS120 даташит

 9.1. Size:64K  st
 sgs125.pdf pdf_icon

SGS120

SGS125 SILICON PNP POWER DARLINGTON TRANSISTOR SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE PNP DARLINGTON INTEGRATED ANTIPARALLEL COLLECTOR-EMITTER DIODE APPLICATION GENERAL PURPOSE SWITCHING DESCRIPTION 3 The SGS125 is a silicon epitaxial-base PNP 2 1 transistor in monolithic Darlington configuration in SOT82 plastic package, intented for use in power SOT-82 linear and switching ap

Другие транзисторы: SFT377, SFT445, SGS110, SGS111, SGS112, SGS115, SGS116, SGS117, TIP42C, SGS121, SGS122, SGS125, SGS126, SGS127, SGS130, SGS131, SGS132