ST150 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ST150
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.36 W
Tensión colector-base (Vcb): 40 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 250 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 8 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 60
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ST150 datasheet
jst150n30t2.pdf
JST150N30T2 30V,150A N-Channel Mosfet FEATURES TO-252 RDS(ON) 2.6m @VGS=10V RDS(ON) 3.4m @VGS=4.5V Simple Drive Requirement Low On-resistance MARKING N-CHANNEL MOSFET YYXX Absolute Maximum Ratings (T =25 unless otherwise specified) C Max. Symbol Parameter Units TO-252-4R V Drain-Source Voltage 30 V DSS V Gate-Source Voltage 20 V GSS T = 25
Otros transistores... ST10 , ST1026 , ST1050 , ST11 , ST12 , ST1290 , ST13 , ST14 , C1815 , ST1504 , ST1505 , ST1523 , ST1524 , ST1525 , ST1527 , ST1528 , ST153 .
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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