ST63 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ST63
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.36 W
Tensión colector-base (Vcb): 40 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 250 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 8 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 60
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ST63 datasheet
st631k.pdf
ST631K LOW VOLTAGE PNP POWER TRANSISTOR PRELIMINARY DATA Features LOW SATURATION VOLTAGE Applications SCANNING VELOCITY MODULATION IN CRT DISPLAYS MEDIUM POWER LINEAR AND SWITCHING 1 APPLICATIONS 2 3 SOT-32 Description (TO-216) The ST631K is manufactured by low voltage Epitaxial Base technology and it is housed in SOT-32 plastic package. The complementary PNP ty
kst63.pdf
KST63/64 Darlington Transistor 3 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage -30 V VCES Collector-Emitter Voltage -30 V VEBO Emitter-Base Voltage -10 V IC Collector Current -500 mA PC Collector Power Dissipation 350 mW TSTG Storage Tem
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History: ST54 | SQ918F | BF170 | BCY89 | ET413 | BCY88 | ST6010
History: ST54 | SQ918F | BF170 | BCY89 | ET413 | BCY88 | ST6010
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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