ST63 Todos los transistores

 

ST63 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ST63
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.36 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 250 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 8 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
 

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ST63 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:56K  st
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ST63

ST631KLOW VOLTAGE PNP POWER TRANSISTORPRELIMINARY DATAFeatures LOW SATURATION VOLTAGEApplications SCANNING VELOCITY MODULATION IN CRT DISPLAYS MEDIUM POWER LINEAR AND SWITCHING 1APPLICATIONS 23 SOT-32Description(TO-216)The ST631K is manufactured by low voltageEpitaxial Base technology and it is housed inSOT-32 plastic package. The complementaryPNP ty

 0.2. Size:53K  fairchild semi
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ST63

KST63/64Darlington Transistor32SOT-2311. Base 2. Emitter 3. CollectorPNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage -30 VVCES Collector-Emitter Voltage -30 VVEBO Emitter-Base Voltage -10 VIC Collector Current -500 mAPC Collector Power Dissipation 350 mWTSTG Storage Tem

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History: 2SC5393 | BD250E | DMG963H5 | KT361N2 | 2N3726 | KRA109 | NPS3901

 

 
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