STC5553 Todos los transistores

 

STC5553 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STC5553
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 85 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 1 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
   Paquete / Cubierta: TO61

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STC5553 Datasheet (PDF)

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 stc5551f.pdf

STC5553 STC5553

STC5551FNPN Silicon TransistorPIN Connection Descriptions General purpose amplifier High voltage application Features High collector breakdown voltage : VCBO = 180V, VCEO = 160V Low collector saturation voltage SOT-89 : VCE(sat)=0.5V(MAX.) Ordering Information Type No. Marking Package Code N51 STC5551F SOT-89 YWW N51: DEVICE CODE, : hF

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History: 2SD1660M | BUF660 | 2SD1633

 

 
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