2N520 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N520
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
Tensión colector-base (Vcb): 15 V
Tensión emisor-base (Veb): 10 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.025 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 85 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 1 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 40
Encapsulados: TO5
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2N520 datasheet
2n5209 2n5210.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by 2N5209/D Amplifier Transistors NPN Silicon 2N5209 2N5210 COLLECTOR 3 2 BASE 1 EMITTER 1 2 3 MAXIMUM RATINGS CASE 29 04, STYLE 1 Rating Symbol Value Unit TO 92 (TO 226AA) Collector Emitter Voltage VCEO 50 Vdc Collector Base Voltage VCBO 50 Vdc Emitter Base Voltage VEBO 4.0 Vdc Collector Current C
2n5209 2n5210.pdf
DATA SHEET 2N5209 2N5210 NPN SILICON TRANSISTOR TO-92 CASE DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N5209 and 2N5210 are silicon NPN Transistors, manufactured by the epitaxial planar process, designed for applications requiring high gain and low noise. MAXIMUM RATINGS (TA=25 C) SYMBOL UNITS Collector-Emitter Voltage VCEO 50 V Collector-Base Voltage VCBO 50 V Emitter-Base V
Otros transistores... 2N5190 , 2N5191 , 2N5192 , 2N5193 , 2N5194 , 2N5195 , 2N519A , 2N52 , TIP122 , 2N5200 , 2N5201 , 2N5202 , 2N5203 , 2N5208 , 2N5209 , 2N520A , 2N521 .
History: 2N52 | 2N5099
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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