2N520A Todos los transistores

 

2N520A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N520A
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 25 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.025 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 85 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 1.2 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 28 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: TO5
 

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2N520A Datasheet (PDF)

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2N520A

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby 2N5209/DAmplifier TransistorsNPN Silicon2N52092N5210COLLECTOR32BASE1EMITTER123MAXIMUM RATINGSCASE 2904, STYLE 1Rating Symbol Value UnitTO92 (TO226AA)CollectorEmitter Voltage VCEO 50 VdcCollectorBase Voltage VCBO 50 VdcEmitterBase Voltage VEBO 4.0 VdcCollector Current C

 9.2. Size:297K  motorola
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2N520A

 9.3. Size:208K  international rectifier
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2N520A

DATA SHEET2N5209 2N5210 NPN SILICON TRANSISTOR TO-92 CASE DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N5209 and 2N5210 are silicon NPN Transistors, manufactured by the epitaxial planar process, designed for applications requiring high gain and low noise. MAXIMUM RATINGS (TA=25C) SYMBOL UNITS Collector-Emitter Voltage VCEO 50 V Collector-Base Voltage VCBO 50 V Emitter-Base V

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History: BFQ38S | KST8550D | BUW41B | D4203D | UNR1112 | 2SC361 | MM4049

 

 
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