TA1757 Todos los transistores

 

TA1757 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TA1757
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.08 W
   Tensión colector-base (Vcb): 34 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 34 V
   Tensión emisor-base (Veb): 1 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.01 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 120 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 42 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 3 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: TO7

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TA1757 Datasheet (PDF)

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TA1757

SEMICONDUCTOR KTA1759 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR HIGH VOLTAGE APPLICATION. FEATURES High Breakdown Voltage. A C H G DIM MILLIMETERS A 4.70 MAX _ + B 2.50 0.20 MAXIMUM RATING (Ta=25 ) C 1.70 MAX D D D 0.45+0.15/-0.10 CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT K E 4.25 MAX _ + F F F 1.50 0.10 VCBO -400 V Collector-Base Voltage G 0.40 TYP H 1.75 MAX VC

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TA1757

Spec. No. C309N3 Issued Date 2003.05.09 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2010.10.19 Page No. 1/6 High Voltage PNP Epitaxial Planar Transistor BVCEO -400V BTA1759N3 IC -0.3A VCESAT(TYP) -0.08V Description High breakdown voltage. (BV =-400V) CEO Low saturation voltage, typical V =-0.2V at Ic/I =-20mA/-2mA. CE(sat) B Wide SOA (safe operation area).

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 bta1759a3.pdf pdf_icon

TA1757

Spec. No. C309A3-R Issued Date 2003.10.15 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2012.06.14 Page No. 1/6 High Voltage PNP Epitaxial Planar Transistor BTA1759A3 Description High breakdown voltage. (BV =-400V) CEO Low saturation voltage, typical V = -0.2V at Ic / I = -20mA /-2mA. CE(sat) B Wide SOA (safe operation area). Complementary to BTC4505A3.

Otros transistores... TA1703B , TA1704 , TA1705 , TA1706 , TA1730 , TA1731 , TA1755 , TA1756 , 2SC2625 , TA1759 , TA1763 , TA1763A , TA1763B , TA1765 , TA1766 , TA1767 , TA1771 .

 

 
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