TA1757 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TA1757
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.08 W
Tensión colector-base (Vcb): 34 V
Tensión colector-emisor (Vce): 34 V
Tensión emisor-base (Veb): 1 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.01 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 120 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 42 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 3 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
Paquete / Cubierta: TO7
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar TA1757
TA1757 Datasheet (PDF)
kta1759.pdf
SEMICONDUCTOR KTA1759TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORHIGH VOLTAGE APPLICATION. FEATURES High Breakdown Voltage.ACHGDIM MILLIMETERSA 4.70 MAX_+B 2.50 0.20MAXIMUM RATING (Ta=25)C 1.70 MAXDDD 0.45+0.15/-0.10CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITKE 4.25 MAX_+F F F 1.50 0.10VCBO -400 VCollector-Base VoltageG 0.40 TYPH 1.75 MAXVC
bta1759n3.pdf
Spec. No. : C309N3 Issued Date : 2003.05.09 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2010.10.19 Page No. : 1/6 High Voltage PNP Epitaxial Planar Transistor BVCEO -400VBTA1759N3IC -0.3AVCESAT(TYP) -0.08VDescription High breakdown voltage. (BV =-400V) CEO Low saturation voltage, typical V =-0.2V at Ic/I =-20mA/-2mA. CE(sat) B Wide SOA (safe operation area).
bta1759a3.pdf
Spec. No. : C309A3-R Issued Date : 2003.10.15 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.06.14 Page No. : 1/6 High Voltage PNP Epitaxial Planar Transistor BTA1759A3Description High breakdown voltage. (BV =-400V) CEO Low saturation voltage, typical V = -0.2V at Ic / I = -20mA /-2mA. CE(sat) B Wide SOA (safe operation area). Complementary to BTC4505A3.
Otros transistores... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 13009 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
