TA2510 Todos los transistores

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TA2510 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TA2510

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 35 W

Tensión colector-base (Vcb): 250 V

Tensión colector-emisor (Vce): 175 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 10 MHz

Ganancia de corriente contínua (hfe): 40

Empaquetado / Estuche: TO66

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TA2510 Datasheet (PDF)

1.1. 2sta2510.pdf Size:146K _st

TA2510
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2STA2510 High power PNP epitaxial planar bipolar transistor Features High breakdown voltage VCEO = -100 V Complementary to 2STC2510 Typical ft = 20 MHz Fully characterized at 125 oC 3 2 Application 1 TO-3P Audio power amplifier Description Figure 1. Internal schematic diagram The device is a PNP transistor manufactured using new BiT-LA (Bipolar transistor for linear am

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