TBC847 Todos los transistores

 

TBC847 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TBC847
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 110
   Paquete / Cubierta: SOT23
     - Selección de transistores por parámetros

 

TBC847 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:188K  toshiba
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TBC847

TBC847Bipolar Transistors Silicon NPN Epitaxial TypeTBC847TBC847TBC847TBC8471. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Low-Frequency Amplifiers2. Packaging and Internal Circuit2. Packaging and Internal Circuit2. Packaging and Internal Circuit2. Packaging and Internal Circuit1. Base2. Emitter3. CollectorSOT233. Absolute Maximum Ratings (

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History: 2SD5041Q | 2N6010 | AC183VII | DTC143EUA | BCW84C | DTC115TS3 | MJE104

 

 
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