TBC847 Todos los transistores

 

TBC847 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TBC847

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 45 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 150 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 6 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 110

Encapsulados: SOT23

 Búsqueda de reemplazo de TBC847

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

TBC847 datasheet

 ..1. Size:188K  toshiba
tbc847.pdf pdf_icon

TBC847

TBC847 Bipolar Transistors Silicon NPN Epitaxial Type TBC847 TBC847 TBC847 TBC847 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Low-Frequency Amplifiers 2. Packaging and Internal Circuit 2. Packaging and Internal Circuit 2. Packaging and Internal Circuit 2. Packaging and Internal Circuit 1. Base 2. Emitter 3. Collector SOT23 3. Absolute Maximum Ratings (

Otros transistores... TBC549 , TBC550 , TBC556 , TBC557 , TBC558 , TBC559 , TBC560 , TBC846 , A1013 , TBC848 , TBC849 , TBC850 , TBC856 , TBC857 , TBC858 , TBC859 , TBC860 .

History: BC449

 

 

 


History: BC449

🌐 : EN  ES  РУ

social

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550

 

 

 

Popular searches

c2383 transistor | 2n3055 equivalent | s9015 datasheet | 2n6488 | 30j127 datasheet | 2sc1116a | 2sc460 | 2sc869 datasheet

 

 

↑ Back to Top
.