TBC847 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TBC847
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 110
Paquete / Cubierta: SOT23
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TBC847 Datasheet (PDF)
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TBC847Bipolar Transistors Silicon NPN Epitaxial TypeTBC847TBC847TBC847TBC8471. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Low-Frequency Amplifiers2. Packaging and Internal Circuit2. Packaging and Internal Circuit2. Packaging and Internal Circuit2. Packaging and Internal Circuit1. Base2. Emitter3. CollectorSOT233. Absolute Maximum Ratings (
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