TBC848 Todos los transistores

 

TBC848 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TBC848

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 150 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 6 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 110

Encapsulados: SOT23

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TBC848 datasheet

 9.1. Size:188K  toshiba
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TBC848

TBC847 Bipolar Transistors Silicon NPN Epitaxial Type TBC847 TBC847 TBC847 TBC847 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Low-Frequency Amplifiers 2. Packaging and Internal Circuit 2. Packaging and Internal Circuit 2. Packaging and Internal Circuit 2. Packaging and Internal Circuit 1. Base 2. Emitter 3. Collector SOT23 3. Absolute Maximum Ratings (

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