TBC848 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TBC848
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 150 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 110
Encapsulados: SOT23
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TBC848 datasheet
tbc847.pdf
TBC847 Bipolar Transistors Silicon NPN Epitaxial Type TBC847 TBC847 TBC847 TBC847 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Low-Frequency Amplifiers 2. Packaging and Internal Circuit 2. Packaging and Internal Circuit 2. Packaging and Internal Circuit 2. Packaging and Internal Circuit 1. Base 2. Emitter 3. Collector SOT23 3. Absolute Maximum Ratings (
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