TBC848 Todos los transistores

 

TBC848 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TBC848
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 110
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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TBC848 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:188K  toshiba
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TBC848

TBC847Bipolar Transistors Silicon NPN Epitaxial TypeTBC847TBC847TBC847TBC8471. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Low-Frequency Amplifiers2. Packaging and Internal Circuit2. Packaging and Internal Circuit2. Packaging and Internal Circuit2. Packaging and Internal Circuit1. Base2. Emitter3. CollectorSOT233. Absolute Maximum Ratings (

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History: BTC5706J3 | SFE235 | 2SB654A | D16K4 | 2SC719 | FT2995 | OC602

 

 
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