TD163-1 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TD163-1
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 90 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hFE): 750
Encapsulados: TO3
Búsqueda de reemplazo de TD163-1
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
TD163-1 datasheet
NO DATA!
Otros transistores... TD13005DSMD, TD13005SMD, TD162, TD162-1, TD162A, TD162B, TD162C, TD163, BD136, TD163A, TD163B, TD163C, TD264, TD264-1, TD264A, TD264B, TD264C
History: 3DD128F_H6D | KSE180 | ST2SB1561U
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
tip31cg | s9015 transistor | irf540z | ss8550 transistor | irfp240 mosfet | tip141 | 2n404 | 2n4250
