2N5262 Todos los transistores

 

2N5262 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N5262
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W
   Tensión colector-base (Vcb): 75 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 3 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 250 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
   Paquete / Cubierta: TO39
     - Selección de transistores por parámetros

 

2N5262 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:100K  jmnic
 2n5264.pdf pdf_icon

2N5262

Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Power Transistors 2N5264 DESCRIPTION With TO-3 package High speed switching High reliability APPLICATIONS Switching regulators DC-DC convertor Solid state relay General purpose power amplifiers PINNING (See Fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base 2 Emitter3 CollectorFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol MA

 9.2. Size:116K  inchange semiconductor
 2n5264.pdf pdf_icon

2N5262

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N5264 DESCRIPTION With TO-3 package High speed switching High reliability APPLICATIONS Switching regulators DC-DC convertor Solid state relay General purpose power amplifiers PINNING (See Fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 Coll

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History: BD372B-25 | KSD1362N | 2N3568 | 2SD694 | BD355C | IMT18 | HSB772S

 

 
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