TIP536 Todos los transistores

 

TIP536 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TIP536
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 175 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 300 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 7.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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TIP536 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:127K  mospec
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TIP536

AAA

 9.2. Size:218K  inchange semiconductor
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TIP536

isc Silicon NPN Power Transistors TIP53DESCRIPTIONDC Current Gain -h = 30~150@ I = 0.3AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 350V(Min)CEO(SUS)Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for line operated audio output amplifier,and switchingpower supply drivers applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

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