TIP563 Todos los transistores

 

TIP563 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TIP563
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 400 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 8
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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TIP563 Datasheet (PDF)

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TIP563

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors TIP562/563 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = 300V(Min)- TIP562 = 400V(Min)- TIP563 High Power Dissipation APPLICATIONSDesigned for converters, inverters, pulse-width-modulated regulators, and a variety of power switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RA

 ..2. Size:210K  inchange semiconductor
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TIP563

isc Silicon NPN Power Transistors TIP562/563DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 300V(Min)- TIP562CEO(SUS)= 400V(Min)- TIP563High Power DissipationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for converters, inverters, pulse-width-modulatedregulators, and a variety of power switching applica

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History: 2SC3819 | PET2002

 

 
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