TIP563 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TIP563  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 8

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для TIP563

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TIP563 даташит

 ..1. Size:79K  inchange semiconductor
 tip562 tip563 .pdf pdf_icon

TIP563

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors TIP562/563 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS) = 300V(Min)- TIP562 = 400V(Min)- TIP563 High Power Dissipation APPLICATIONS Designed for converters, inverters, pulse-width-modulated regulators, and a variety of power switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RA

 ..2. Size:210K  inchange semiconductor
 tip562 tip563.pdf pdf_icon

TIP563

isc Silicon NPN Power Transistors TIP562/563 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 300V(Min)- TIP562 CEO(SUS) = 400V(Min)- TIP563 High Power Dissipation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for converters, inverters, pulse-width-modulated regulators, and a variety of power switching applica

Другие транзисторы: TIP556, TIP558, TIP559, TIP55A, TIP56, TIP560, TIP561, TIP562, 2SC5198, TIP56A, TIP57, TIP57A, TIP58, TIP58A, TIP600, TIP601, TIP602